Description
Etat : Neuf
Marque : Toshiba
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-3
Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 700 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 1500 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 10 V
Courant CC max. du collecteur: 8 A
Pd - Dissipation d’énergie : 150 W
Produit gain-bande passante fT : 7 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Série: BU208
Conditionnement: Bulk
Hauteur: 8.7 mm
Longueur: 39.5 mm
Technologie: Si
Largeur: 26.2 mm
Courant de collecteur continu : 8 A
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Sous-catégorie: Transistors
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