Description
Etat : Neuf
Marque : Fair Child Semi Conductor
Modèle : FDV301N
Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage: SMD/SMT
Package/Boîte: SOT-23-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 25 V
Id - Courant continu de fuite: 220 mA
Rds On - Résistance drain-source: 5 Ohms
Vgs - Tension grille-source: - 8 V, + 8 V
Qg - Charge de grille: 0.7 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Pd - Dissipation d’énergie : 350 mW
Mode canal: Enhancement
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Conditionnement: Reel
Configuration: Single
Hauteur: 1.2 mm
Longueur: 2.9 mm
Produit: MOSFET Small Signal
Série: FDV301N
Type de transistor: 1 N-Channel
Type: FET
Largeur: 1.3 mm
Marque: ON Semiconductor / Fairchild
Transconductance directe - min.: 0.2 S
Temps de descente: 6 ns
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 6 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: MOSFETs
Délai de désactivation type: 3.5 ns
Délai d'activation standard: 3.2 ns